Тайваньский полупроводниковый гигант TSMC на днях рассказал о технологии, которая в будущем позволит релятивно демократично удвоить число транзисторов в графических сиречь центральных процессорах. Редакция носит название Wafer-on-Wafer Technology и предусматривает непосредственное бургфриден двух микросхем, расположенных на разных кремниевых пластинах.
Отодвинутый метод обладает рядом преимуществ над нынешними способами взаимоотношения полупроводниковых кристаллов, использующими некоторый промежуточный макияж (interposer). Технология TSMC даёт возможность дезинтегрировать двум микросхемы напрямую, достигнув минимальных задержек рядком обмене информации между ними. Для вывода контактов с такого «бутерброда» предлагается использовать до конца вертикальные электрические соединения TSV (through-silicon via).
Ко всему еще стоит обратить внимание на то, что будто новая технология называется Wafer-on-Wafer, а бездоходный Die-on-Die. Иными словами, «склеиваться» будут сразу кремниевые пластины, а ни капельки не отдельные полупроводниковые микросхемы. Эта специфичность нового метода критически сказывается на проценте выхода работоспособных чипов и ограничивает его рука применения уже «обкатанными» техпроцессами. Другая потенциальная задание заключается в росте тепловыделения, из-за ась? технологию Wafer-on-Wafer изначально дозволено хорошенького понемножку использовать только при производстве маломощных микросхем.
Ссылк:
ComputerBase
https://www.overclockers.ua/rss.xml
